Şu ana kadar, monokristal silikon güneş panelleri hem araştırma hem de sanayileşmede hızla gelişmiştir.

C-Si hücrelerini etkileyen birçok faktör arasında, silikon gofretlerin kalitesinin iyileştirilmesi toplu rekombinasyonu gitgide küçültür ve yeni pasivasyon katmanlarının geliştirilmesi ve bunların hazırlanma teknolojisi yüzey rekombinasyonunu büyük ölçüde azaltır. Bunlar arasında metal elektrot ve C-Si kontağının rekombinasyonu, hücre verimliliğini etkileyen anahtar faktör haline gelir ve teorik sınır verimliliğine yakın son sınırlayıcı faktör olarak kabul edilir. Bir yandan metal ile C-Si arasındaki temas noktasındaki rekombinasyonu azaltmak için, bir yandan hücrenin arkasındaki delikler kısmen açılarak (PERC, PERL, dahil olmak üzere) metal ile C-Si arasındaki doğrudan temas alanı azaltılır. ve PERT, vb.). Dönüşüm verimi %25 veya yakın olmasına rağmen, bu hücrelerde metal ile C-Si arasında hala doğrudan temas vardır, arkadan açma işlemi karmaşıktır ve açılışta silikon malzemenin zarar görmesine neden olur.

Ayrıca lokal açılma tekniği, taşıyıcıların temas yüzeyine dik olarak göç yolundan sapmalarına neden olmakla kalmaz, aynı zamanda açıklıkta kalabalıklaşabilir ve bu da dolgu faktörünün kaybına yol açar. Öte yandan, hem mükemmel yüzey pasivasyonunu hem de açıklıklara ihtiyaç duymadan taşıyıcıların ayrılmasını ve taşınmasını, yani taşıyıcı seçici pasifleştirme temaslarını başarabilen yeni temas şemalarının geliştirilmesi gerekmektedir. Bu çözüm, silikon levhanın tüm yüzeyinin (temas alanı ve temassız alan dahil) pasivasyonunu gerçekleştirebilir ve şu anda taşıyıcılar, her iki uçtaki elektrotlar arasında tek boyutlu taşımadır, bu da faydalıdır. daha yüksek bir doldurma faktörü elde edin ve ardından dönüşüm verimliliğini artırın.